據(jù)行業(yè)資訊披露，英偉達近期對其人工智能芯片Rubin Ultra的設計方案作出重大調整，放棄原先激進的4-Die架構，轉而采用技術更為成熟的2-Die架構，預計該產(chǎn)品將于2027年正式面世。

所謂Die，即從完整圓形硅晶圓上通過高精度切割工藝分離出的獨立單元，每個單元均具備完整集成電路功能，在業(yè)內常被稱為裸片、裸晶或晶粒。

消息人士透露，英偉達此次架構調整主要受限于先進封裝技術的物理瓶頸。若強行推進4-Die方案，芯片封裝尺寸將出現(xiàn)指數(shù)級增長，其面積將突破光罩極限的8倍。這種尺寸膨脹會直接導致制造良率下降，進而推高整體生產(chǎn)成本。

技術團隊評估后認為，回歸2-Die架構方案能夠在制造成本與量產(chǎn)效率之間取得更優(yōu)平衡。該方案既保持了足夠的計算性能，又避免了因封裝尺寸過大引發(fā)的生產(chǎn)風險，符合當前半導體制造的工藝規(guī)律。

在制造工藝層面，Rubin Ultra將采用臺積電最新的N3P工藝節(jié)點，并配合CoWoS-L先進封裝技術。值得關注的是，英偉達并未因此調整對臺積電的晶圓代工訂單規(guī)模，而是通過優(yōu)化投片策略，將更多產(chǎn)能分配給當前主流的Blackwell架構芯片。

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，臺積電3納米制程產(chǎn)能正呈現(xiàn)爆發(fā)式增長態(tài)勢。人工智能核心芯片對先進制程的需求持續(xù)攀升，預計明年該領域芯片僅占3納米總產(chǎn)能的5%，但到后年這一比例將躍升至36%，凸顯出人工智能硬件市場對高端制程的強烈依賴。這種產(chǎn)能需求的結構性變化，正在重塑全球半導體產(chǎn)業(yè)的競爭格局。