花旗最新研究報告顯示，英偉達在AI推理領域推出的創新存儲架構正引發NAND閃存市場連鎖反應。該機構分析指出，英偉達開發的推理上下文內存存儲（ICMS）技術將重構AI算力存儲體系，預計在2026-2027年間為全球NAND市場創造千億級需求增量，這一技術突破可能成為打破當前存儲芯片供需平衡的關鍵變量。
據技術白皮書披露，ICMS架構通過在現有存儲層級間新增專用緩存層，成功突破Transformer模型推理過程中的內存瓶頸。該方案在GPU高帶寬內存（HBM）與本地SSD之間構建G3.5緩存層級，利用智能調度算法實現冷熱數據的動態轉換。實驗數據顯示，采用該架構的Vera Rubin平臺可使每秒處理令牌數提升5倍，同時將能效比優化至同等水平，延遲指標亦獲得顯著改善。
硬件配置層面，英偉達選擇16TB TLC SSD作為基礎存儲單元，單臺服務器配置72塊GPU對應1152TB NAND容量需求?；ㄆ鞙y算表明，當2026年Vera Rubin平臺出貨量達3萬臺時，將消耗相當于全球NAND產能2.8%的存儲介質；至2027年出貨量突破10萬臺時，這一比例將攀升至9.3%，對應需求量達1152億8Gb當量。值得注意的是，該預測尚未包含其他廠商可能跟進的類似技術方案。
當前NAND市場已呈現結構性短缺特征。受數據中心建設加速和智能手機存儲升級雙重驅動，全球NAND產能利用率持續維持在95%以上?；ㄆ旆治鰩熤赋觯琁CMS架構帶來的需求具有不可替代性，其大規模部署將直接沖擊現有供應鏈體系。特別是三星電子、SK海力士等頭部廠商的3D NAND產線，可能面臨優先保障AI專用訂單的壓力。
技術演進方向上，AI推理場景的特殊需求正在重塑存儲芯片發展路徑。報告強調，未來NAND產品將向三維集成密度、隨機讀寫速度和功耗效率三個維度同步突破。除ICMS架構外，行業正在探索內存計算融合、光子存儲等前沿方案，這些創新可能催生新的萬億級市場空間。
產業鏈傳導效應同樣值得關注。ICMS架構的普及將帶動SSD主控芯片、存儲接口標準等相關領域的技術升級。花旗特別指出，具備定制化開發能力的存儲模組廠商，以及掌握先進封裝技術的上游企業，有望在這輪技術變革中獲得超額收益。目前已有部分廠商啟動專用存儲設備的研發計劃，預計2025年將形成完整的技術生態體系。
