內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。根據(jù)Counterpoint最新發(fā)布的《2月內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》，2026年第一季度內(nèi)存產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比漲幅達(dá)到80%至90%，創(chuàng)下歷史新高。這一輪價(jià)格飆升覆蓋全品類，從服務(wù)器級(jí)DRAM到消費(fèi)級(jí)NAND閃存均呈現(xiàn)加速上漲態(tài)勢，部分高端HBM3e產(chǎn)品價(jià)格更是水漲船高。

驅(qū)動(dòng)本輪行情的核心因素是通用服務(wù)器DRAM價(jià)格的劇烈波動(dòng)。數(shù)據(jù)顯示，64GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)從2025年第四季度的450美元躍升至2026年第一季度的900美元以上，季度漲幅超過100%。市場機(jī)構(gòu)預(yù)測，該產(chǎn)品價(jià)格在第二季度可能突破1000美元心理關(guān)口，較年初實(shí)現(xiàn)翻倍增長。這種價(jià)格走勢在內(nèi)存行業(yè)歷史上極為罕見，反映出供應(yīng)鏈緊張與需求激增的雙重壓力。

NAND閃存市場同樣出現(xiàn)顯著變化。盡管2025年第四季度該品類價(jià)格保持相對穩(wěn)定，但進(jìn)入2026年后迅速補(bǔ)漲，季度漲幅同樣達(dá)到80%至90%。這種全板塊聯(lián)動(dòng)上漲的現(xiàn)象，表明內(nèi)存市場已進(jìn)入全面供不應(yīng)求的周期。行業(yè)分析師指出，數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速、人工智能算力需求爆發(fā)以及消費(fèi)電子庫存回補(bǔ)，是推動(dòng)本輪行情的三大主要?jiǎng)恿Α?/p>

高端內(nèi)存產(chǎn)品表現(xiàn)尤為突出。HBM3e作為AI服務(wù)器關(guān)鍵組件，其價(jià)格隨著算力需求增長持續(xù)走高。部分供應(yīng)商透露，由于制程復(fù)雜度提升和良品率限制，HBM3e產(chǎn)能擴(kuò)張速度遠(yuǎn)低于市場需求，這進(jìn)一步加劇了價(jià)格上行壓力。市場觀察人士認(rèn)為，當(dāng)前內(nèi)存價(jià)格走勢已脫離傳統(tǒng)周期規(guī)律，呈現(xiàn)出由技術(shù)迭代和產(chǎn)業(yè)變革驅(qū)動(dòng)的新特征。

這場價(jià)格風(fēng)暴正在重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局。下游企業(yè)面臨成本壓力陡增的挑戰(zhàn)，部分服務(wù)器制造商已開始調(diào)整產(chǎn)品定價(jià)策略。與此同時(shí)，內(nèi)存原廠迎來罕見盈利窗口期，三星、SK海力士等頭部企業(yè)季度利潤有望創(chuàng)下新高。市場普遍預(yù)期，這種供需失衡狀態(tài)將持續(xù)至2026年下半年，價(jià)格拐點(diǎn)出現(xiàn)時(shí)間取決于主要廠商的產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)度。