近期，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷顯著的價(jià)格波動(dòng)。證券時(shí)報(bào)記者實(shí)地探訪深圳華強(qiáng)北市場(chǎng)發(fā)現(xiàn)，此前被熱議的內(nèi)存價(jià)格“閃崩”現(xiàn)象并未全面顯現(xiàn)，主流DDR4內(nèi)存產(chǎn)品價(jià)格較2025年峰值回落約10%-20%，但整體仍維持在歷史高位。有商戶表示：“DDR4內(nèi)存從去年底至今漲幅超過五倍，當(dāng)前每條價(jià)格仍高達(dá)1800元，部分型號(hào)甚至超過黃金單價(jià)。”

與DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）市場(chǎng)的小幅回調(diào)不同，NAND（閃存）領(lǐng)域呈現(xiàn)持續(xù)上漲態(tài)勢(shì)。原廠報(bào)價(jià)顯示，eMMC嵌入式存儲(chǔ)價(jià)格漲幅顯著，部分產(chǎn)品價(jià)格較年初翻倍。受此影響，多家電腦廠商已調(diào)整產(chǎn)品定價(jià)策略：中低端筆記本電腦價(jià)格普遍上調(diào)5%-10%，部分游戲本品牌計(jì)劃在春節(jié)后提價(jià)，最高漲幅達(dá)33%，這意味著部分高端機(jī)型將漲價(jià)超千元。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CFM數(shù)據(jù)顯示，2025年全球DRAM/NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模首次突破2000億美元，同比增長(zhǎng)32.7%至2215.91億美元（約合1.53萬(wàn)億元人民幣）。這一增長(zhǎng)主要受供需失衡推動(dòng)——國(guó)際存儲(chǔ)巨頭庫(kù)存處于低位，三星、SK海力士、美光等企業(yè)正推動(dòng)定價(jià)機(jī)制改革，擬將傳統(tǒng)季度議價(jià)模式改為供貨后按市價(jià)結(jié)算的動(dòng)態(tài)模式，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)對(duì)價(jià)格波動(dòng)的預(yù)期。

產(chǎn)能擴(kuò)張方面，主要原廠態(tài)度謹(jǐn)慎。預(yù)計(jì)2026年一季度DRAM芯片出貨量增幅將低于5%，NAND芯片增幅維持在5%-10%，多數(shù)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目需至2027年下半年才能落地。與之形成對(duì)比的是，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正加速崛起。長(zhǎng)鑫科技通過擴(kuò)產(chǎn)，全球市場(chǎng)份額已升至3.97%，成為國(guó)內(nèi)第一、全球第四的DRAM廠商；長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND領(lǐng)域表現(xiàn)更為突出，其全球出貨量占比在2025年一季度突破10%，第三季度進(jìn)一步提至13%。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)能的釋放已帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芤妗０雽?dǎo)體設(shè)備廠商中微公司披露，2025年歸母凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)達(dá)20.8億至21.8億元，同比增長(zhǎng)28.74%至34.93%，主要得益于高端刻蝕設(shè)備付運(yùn)量提升；測(cè)試設(shè)備企業(yè)長(zhǎng)川科技也實(shí)現(xiàn)盈利翻倍增長(zhǎng)。國(guó)際市場(chǎng)方面，《日經(jīng)亞洲》報(bào)道稱，惠普、戴爾、華碩、宏碁等品牌已將中國(guó)大陸內(nèi)存芯片納入采購(gòu)清單，這是國(guó)際消費(fèi)電子巨頭首次大規(guī)模考慮中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)品。