在最新一期的YouTube視頻中，知名科技頻道V?t V? Studio的主播Long Ngong對三星即將發布的Galaxy S26和Galaxy S26+手機進行了極限性能測試，重點評估了其搭載的Exynos 2600芯片在散熱方面的表現。測試結果顯示，三星成功解決了長期困擾用戶的芯片過熱導致的性能下降問題，為高端智能手機市場帶來了新的突破。
為了全面驗證Exynos 2600芯片的散熱能力，Long Ngong在約26℃的室溫環境下，對Galaxy S26和S26+進行了高強度測試。他連續運行了《英雄聯盟手游》、《原神》和《崩壞》三款對硬件要求極高的主流游戲，并全程開啟最高畫質設置。測試數據顯示，Galaxy S26在運行《英雄聯盟手游》時，平均溫度僅為32℃左右，展現出該芯片在處理常規高畫質游戲時的出色穩定性。
在更高負載的測試中，Galaxy S26+的表現同樣令人印象深刻。運行《原神》超過15分鐘后，機身正面最高溫度約為38℃，背面溫度則穩定在37℃至37.5℃之間。這一結果充分證明，Exynos 2600芯片在應對極端游戲場景時，仍能保持高效的散熱性能。
在《崩壞》的測試中，盡管游戲幀率偶爾出現波動，但機身溫度控制依然出色。正面最高溫度為39℃，背面最高溫度略超38℃，這一表現遠超同類產品。Long Ngong指出，這樣的溫控水平在智能手機領域極為罕見，標志著三星在芯片散熱技術上取得了重大進展。
據分析，Exynos 2600芯片的卓越散熱表現得益于三項關鍵技術的創新應用。首先，該芯片采用了三星最新的2nm GAA（全環繞柵極）工藝，通過垂直堆疊的納米片結構，使柵極完全包圍溝道，顯著提升了靜電控制能力和整體能效。其次，FOWLP（扇出型晶圓級封裝）技術的引入，使芯片形態更薄、更高效。該技術通過晶圓級方法取代傳統基板，將輸入/輸出端子直接集成在硅晶圓上，進一步優化了散熱路徑。
最后，Exynos 2600還引入了創新的HPB（熱傳導塊）技術。這一技術通過采用與應用處理器直接接觸的銅基散熱器，并將DRAM移至側面，有效降低了熱阻。據測試，這一設計使熱阻改善了高達30%，為芯片在高負載運行時的穩定性提供了有力保障。三星此次在芯片散熱技術上的突破，不僅提升了用戶體驗，也為智能手機行業樹立了新的標桿。
