近期，存儲芯片市場迎來顯著價格波動，動態隨機存取存儲器（DRAM）與NAND閃存（NAND Flash）兩大核心產品價格持續攀升。據市場研究機構披露，這兩類芯片的平均價格在最近統計周期內均實現兩位數環比增長，其中DRAM漲幅達13%，NAND閃存漲幅為12.7%，創下近年來單月漲幅新高。

細分產品中，個人電腦通用型DRAM表現尤為突出。以DDR4 8Gb 1G×8規格為例，其平均價格已漲至每片13美元，環比增幅13%。而用于存儲卡的128Gb 16G×8 MLC規格NAND閃存，價格則升至12.67美元。值得注意的是，高端產品合約價漲幅更為驚人——DDR4 8GB與DDR5 16GB產品的季度合約價分別飆升120%和118%，達到85美元和140美元。

供應端緊張局勢成為價格上揚的主要推手。工業設備、汽車電子及通信網絡等高可靠性需求領域，對單層單元（SLC）和多層單元（MLC）NAND閃存的需求持續旺盛，但相關產品產能增長滯后。其中，MLC產品價格漲勢最為迅猛：128Gb型號環比暴漲33.9%，32Gb和64Gb型號分別上漲29.4%和21.2%，部分型號甚至出現供不應求的局面。

市場分析指出，多重因素疊加導致本輪漲價潮。一方面，全球半導體供應鏈調整周期較長，原材料成本上升與物流壓力持續存在；另一方面，數據中心建設加速、5G設備普及以及新能源汽車滲透率提升，共同推高了對存儲芯片的長期需求。部分廠商雖已宣布擴產計劃，但產能釋放仍需時間，短期內市場供需失衡狀態難以根本改善。