SK海力士近日宣布，成功研發(fā)出全球首款基于第六代10納米級（1c）工藝的16Gb LPDDR6 DRAM內(nèi)存芯片。這款專為端側(cè)人工智能應(yīng)用設(shè)計的存儲產(chǎn)品，在性能與能效方面實現(xiàn)雙重突破，標(biāo)志著移動設(shè)備內(nèi)存技術(shù)邁入全新階段。

作為移動設(shè)備內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，SK海力士于今年初在CES國際消費電子展上首次展示該技術(shù)原型后，迅速完成工程驗證。據(jù)技術(shù)文檔披露，新芯片采用子通道架構(gòu)與動態(tài)電壓頻率調(diào)整（DVFS）技術(shù)，通過智能調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)路徑激活狀態(tài)和運行參數(shù)，在保持基礎(chǔ)工作速度突破10.7Gbps的同時，將功耗較前代LPDDR5X降低超20%。這種動態(tài)調(diào)節(jié)機制使設(shè)備在高負(fù)載游戲場景可釋放最大帶寬，日常使用時則自動進入低功耗模式。

性能測試數(shù)據(jù)顯示，第六代工藝使數(shù)據(jù)處理速度提升33%，這得益于帶寬擴展和單位時間數(shù)據(jù)傳輸量的顯著增加。該芯片延續(xù)了LPDDR系列低電壓運行特性，其1.1V工作電壓較前代的1.05V雖有微調(diào)，但通過架構(gòu)優(yōu)化實現(xiàn)了整體能效比的大幅提升。作為第八代低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR6的推出延續(xù)了該系列每兩年迭代一次的技術(shù)演進規(guī)律。

生產(chǎn)計劃方面，SK海力士將于2024年上半年完成量產(chǎn)線調(diào)試，下半年啟動批量供貨。這款新型內(nèi)存將與現(xiàn)有LPDDR5X形成產(chǎn)品矩陣，共同覆蓋從主流移動設(shè)備到高端AI終端的市場需求。行業(yè)分析師指出，隨著生成式AI向邊緣設(shè)備遷移，對內(nèi)存帶寬和能效的嚴(yán)苛要求正推動存儲技術(shù)加速革新，此次技術(shù)突破有望重塑移動計算設(shè)備的性能標(biāo)桿。