3月16日消息，臺積電去年拿下了全球晶圓代工市場70%的份額，而且先進工藝可以說遙遙領先其他友商，當前量產的最新工藝是2nm，但是1nm工藝也在路上了。
1nm建廠之前最先需要準備的園區土地，日前有消息稱總面積高達531公頃的臺南沙侖園區今年4月份將會進入二期環評，2027年3季度完成最終環評。
之后就能交付給臺積電建廠了，預計初期規模至少200公頃。
根據臺積電之前公布的計劃，沙侖園區會建設6座晶圓廠，其中P1到P3主要面向1.4nm工藝A14，P4到P6工廠則是面向1nm工藝，后期不排除還有0.7nm工藝。
臺積電目前公布的路線圖中，2nm工藝的N2工藝去年底量產，今年是蘋果、AMD等公司規模商用，A16工藝是NVIDIA的費曼GPU首發，今年底試產，量產也要到2027年了。
A16之后就是A14工藝，也就是1.4nm級別的，會升級第二代GAA晶體管結構及背面供電，預計2028年問世。
再往后就是現在說的1nm工藝了，但臺積電此前公布的信息并不多，按慣例命名會是A10，這也是臺積電首個埃米級工藝——全球首個的名號前幾年就被Intel的20A工藝占了，不過后者有點名不副實，沒有做到1nm以下就去搶埃米工藝的榮譽了。
不過臺積電1nm工藝的技術細節還是未知數，傳聞會進一步將晶體管結構從GAA升級到CFET，甚至還有說會用到2D材料，現在很難判斷最終會如何。
1nm工藝按照臺積電的節點是2030年面世，他們23年提出的一個目標是在1nm節點做到單芯片2000億晶體管集成，3D封裝做到1萬億晶體管，這個目標跟Intel之前喊出的1萬億晶體管的是一樣的，就看誰先做到了。
