存儲芯片市場正經(jīng)歷一場劇烈的供給側(cè)變革。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的存儲產(chǎn)業(yè)研究報告,隨著三星、SK海力士、美光等行業(yè)巨頭堅定執(zhí)行“退出成熟制程”戰(zhàn)略,市場供給結(jié)構(gòu)正持續(xù)收緊,消費型DRAM價格已開啟螺旋式上漲模式。
價格狂飆:單季暴漲近80%,漲勢遠(yuǎn)未終結(jié)
數(shù)據(jù)顯示,消費型DRAM價格在今年第一季度已錄得驚人的75-80%累計漲幅。然而,這波漲價潮并未觸頂。集邦咨詢預(yù)測,2026年第二季度消費型DRAM合約價格將持續(xù)攀升,預(yù)計季增幅將達(dá)到45-50%。
結(jié)構(gòu)性缺貨:老舊規(guī)格漲幅反超新品
值得注意的是,此輪漲價的“急先鋒”并非代表未來的高容量產(chǎn)品,而是即將退場的成熟規(guī)格。報告指出,2026年3月份,漲價動能主要集中在4Gb以下容量產(chǎn)品。其中,DDR4 4Gb均價單月漲幅超過20%,漲幅明顯領(lǐng)跑高容量產(chǎn)品。
更為嚴(yán)峻的是DDR3與DDR2市場。受限于產(chǎn)能嚴(yán)重枯竭,這兩類老舊產(chǎn)品在三月份出現(xiàn)了20-40%不等的均價上調(diào),漲幅甚至超越了DDR4。市場分析認(rèn)為,隨著三大原廠加速關(guān)停DDR4及以下產(chǎn)線,將寶貴的產(chǎn)能資源全力轉(zhuǎn)向DDR5與HBM(高帶寬內(nèi)存)等先進(jìn)制程產(chǎn)品,成熟市場的“供需倒掛”現(xiàn)象正愈演愈烈。
業(yè)內(nèi)預(yù)判:訂單轉(zhuǎn)移效應(yīng)擴大,恐慌性備貨開啟
面對大廠“去舊立新”的不可逆趨勢,供給端收縮將持續(xù)主導(dǎo)市場走向。業(yè)內(nèi)人士分析,訂單轉(zhuǎn)移效應(yīng)預(yù)計將在未來幾個季度進(jìn)一步擴大。出于對后續(xù)更大幅度漲價的擔(dān)憂,部分下游廠商已開啟“防御性操作”,提前備貨以鎖定成本,這或?qū)⒃诙唐趦?nèi)進(jìn)一步加劇市場貨源的緊缺程度。











