英特爾近日宣布加入馬斯克主導的巨型芯片項目Terafab，承擔芯片設計、制造與封裝等核心環節，并助力該項目實現年產能一太瓦的算力目標。這一合作被業界視為雙贏之舉：Terafab將獲得英特爾在芯片制造領域的深厚積累，而英特爾的代工業務也有望借此拓展高端客戶群體。不過，在臺積電、三星電子等成熟廠商競爭的背景下，英特爾脫穎而出的原因引發了技術層面的深入探討。
合作消息公布的同日，英特爾晶圓代工技術研究院高級首席工程師韓偉振在技術社區披露了關鍵突破：公司在氮化鎵（GaN）芯片領域取得重大進展。這種化合物半導體材料在高壓環境下穩定性顯著優于傳統硅基芯片，而英特爾通過創新工藝實現了三項技術突破：首先，利用標準半導體設備在300毫米晶圓上直接生長氮化鎵層，大幅降低生產成本；其次，采用研磨前隱形切割（SDBG）技術將硅基底厚度壓縮至19微米，僅為人類發絲直徑的五分之一；最后，成功將氮化鎵功率器件與硅邏輯電路集成于同一芯片，解決了傳統設計中功率晶體管因體積過大導致的散熱與電噪聲問題。
技術團隊通過集成設計顯著優化了芯片空間利用率與能效表現。測試數據顯示，新型芯片在高壓條件下仍能保持穩定運行，這對Terafab項目具有雙重戰略價值：從航天應用看，氮化鎵芯片的耐輻射特性使其成為太空數據中心建設的理想選擇；從工程實踐看，更輕薄的芯片設計可減少火箭有效載荷重量，直接降低發射成本。據行業估算，每減少1公斤載荷，單次發射成本可降低數萬美元。
盡管技術優勢顯著，但合作模式仍存懸念。目前尚未明確英特爾將通過技術授權還是聯合投資方式參與Terafab項目開發。考慮到該項目涉及數十億美元級投資，雙方盈利前景需經歷較長時間驗證。業內分析指出，氮化鎵芯片的量產成熟度、太空環境長期可靠性等關鍵指標，將成為決定項目經濟性的核心因素，相關技術驗證周期可能長達3-5年。
