據行業分析機構SemiAnalysis最新報告，在下一代高帶寬內存（HBM4）市場競爭中，韓系廠商三星與SK海力士已形成絕對優勢，而美光科技因技術路線失誤，或將徹底失去英偉達Rubin芯片的訂單供應資格。
報告顯示，英偉達Rubin平臺所需的HBM4內存供應份額已全部被韓系廠商占據，其中SK海力士預計拿下70%訂單，三星則獲得剩余30%份額。這意味著美光在該領域的市場份額將歸零，徹底退出這場高端存儲芯片的爭奪戰。
美光此次失利的核心原因在于其堅持自主設計制造HBM4基礎裸片的技術路線。與其他競爭對手不同，美光拒絕與臺積電等外部代工廠合作，也未利用三星的自有邏輯代工能力，而是選擇獨立完成所有生產環節。這種"單打獨斗"的策略導致產品出現嚴重散熱問題，且引腳速度無法達到英偉達的嚴苛標準。
技術瓶頸之外，時間窗口的錯失更是致命打擊。英偉達Vera Rubin芯片已進入全速生產階段，供應鏈名單早已確定。盡管美光計劃在2026年第二季度重新提交優化后的產品進行資格測試，但此時市場格局已定，重新入局的機會十分渺茫。
反觀競爭對手，三星通過攻克引腳速度技術難關，成功擺脫HBM3時代的延誤陰影，重新獲得英偉達認可。SK海力士則憑借與臺積電的深度合作，在制程工藝上保持領先優勢。這兩家韓系廠商通過不同的技術路徑，最終在HBM4市場形成了雙雄壟斷的局面。
業內人士指出，HBM內存作為人工智能計算的核心組件，其技術迭代速度遠超傳統存儲芯片。美光此次在基礎裸片設計上的固執堅持，不僅導致產品性能落后，更使其錯失了與英偉達建立長期合作關系的寶貴機會。這場競爭失利或將影響美光在未來AI芯片市場的戰略布局。
