全球硬件領(lǐng)域在內(nèi)存技術(shù)革新上持續(xù)發(fā)力，美光、英特爾、AMD三大廠商近期動(dòng)作頻頻，從數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)突破到消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)異動(dòng)，展現(xiàn)出技術(shù)迭代與市場(chǎng)博弈的雙重圖景。

美光科技率先掀起存儲(chǔ)革命，其推出的9650 NVMe SSD成為全球首款量產(chǎn)的PCIe 6.0數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤。這款產(chǎn)品以28GB/s的順序讀取速度和14GB/s的寫入速度刷新行業(yè)紀(jì)錄，較前代產(chǎn)品性能翻倍，能效提升最高達(dá)200%。基于垂直整合架構(gòu)，該SSD搭載第九代G9 NAND閃存，采用六平面設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)3.6GB/s的IO速率。針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景，產(chǎn)品分為PRO和MAX兩大系列：PRO系列支持每日1次全盤寫入，提供7.68TB至30.72TB容量選擇；MAX系列則支持每日3次全盤寫入，覆蓋6.4TB至25.6TB容量區(qū)間。特別設(shè)計(jì)的E1.S版本可無縫集成液冷系統(tǒng)，為高密度數(shù)據(jù)中心提供散熱解決方案。目前該產(chǎn)品已啟動(dòng)批量供貨，預(yù)計(jì)2026年第三季度實(shí)現(xiàn)全面普及，其低功耗特性與AI算力需求形成完美契合。

英特爾在內(nèi)存領(lǐng)域投下重磅炸彈，與軟銀旗下Saimemory合作研發(fā)的ZAM（Z-angle Memory）技術(shù)原型在Intel Connection Japan 2026活動(dòng)上完成全球首秀。這項(xiàng)顛覆性技術(shù)采用交錯(cuò)互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，通過芯片堆疊內(nèi)部的"Z字形"布線替代傳統(tǒng)垂直布線，結(jié)合銅-銅混合鍵合技術(shù)與無電容設(shè)計(jì)，使單芯片容量突破512GB。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，ZAM內(nèi)存功耗較HBM降低40%-50%，熱阻顯著下降，特別適合AI數(shù)據(jù)中心的高能耗場(chǎng)景。該技術(shù)源于美國能源部AMT項(xiàng)目，歷經(jīng)四年國家實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證，英特爾已完成功能完整的測(cè)試組件開發(fā)。按照規(guī)劃，2027年將推出優(yōu)化原型，2029年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。不過要打破HBM的市場(chǎng)壟斷，仍需獲得英偉達(dá)等AI巨頭的生態(tài)認(rèn)可。

消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)正上演戲劇性反轉(zhuǎn)，DDR5內(nèi)存價(jià)格暴漲意外催熱AMD老平臺(tái)。受AI算力需求激增、廠商控產(chǎn)、渠道搶貨及成本上升等多重因素影響，2026年第一季度全球DDR5合約價(jià)環(huán)比暴漲80%-95%，直接推動(dòng)消費(fèi)端內(nèi)存條價(jià)格飆升。這導(dǎo)致大量用戶轉(zhuǎn)向搭載DDR4的AM4平臺(tái)，基于Zen3架構(gòu)的R7 5800X/XT系列處理器銷量逆勢(shì)上揚(yáng)。數(shù)據(jù)顯示，亞馬遜美國站R7 5800XT月銷量近3000套，遠(yuǎn)超當(dāng)代旗艦R7 7800X3D的1000套；德國Mindfactory零售商周銷榜上，5800X以120套銷量與7800X3D并列亞軍。這款采用臺(tái)積電7nm工藝的處理器，憑借3.8-4.8GHz頻率、32MB三級(jí)緩存和105W TDP，在兼容X570/B550主板的優(yōu)勢(shì)下，展現(xiàn)出超越新一代銳龍7000/9000系列的性價(jià)比。市場(chǎng)分析指出，隨著5800X3D等熱門型號(hào)停產(chǎn)，Zen3產(chǎn)品線中僅存的8核16線程選擇正成為預(yù)算有限用戶的首選。