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英飛凌漲價背后:AI需求重構功率半導體格局,行業分化加劇

   時間:2026-02-25 16:00:07 來源:互聯網編輯:快訊 IP:北京 發表評論無障礙通道
 

全球功率半導體市場正經歷一場由人工智能(AI)驅動的深刻變革。行業龍頭英飛凌宣布自4月1日起上調部分功率開關及相關芯片價格,國內士蘭微、華潤微等企業隨即跟進,引發市場對產業鏈供需格局的廣泛關注。此次漲價潮背后,AI數據中心建設帶來的非線性電力需求與原材料成本攀升形成雙重推力,推動行業進入結構性分化周期。

英飛凌在漲價函中明確指出,AI數據中心的大規模部署導致部分功率器件嚴重短缺。為應對需求激增,公司計劃將2026年投資額從22億歐元提升至27億歐元,重點擴充德累斯頓工廠的智能功率半導體產能。該公司2026財年首季財報顯示,36.62億歐元營收中,AI相關業務貢獻顯著,利潤率穩定在17.9%。首席執行官Jochen Hanebeck坦言,電網基礎設施擴建將成為未來戰略重點,當前產能調整旨在提前布局高增長領域。

成本壓力成為漲價的直接誘因。貴金屬價格持續走高、晶圓代工費用普遍上調、全球能源價格波動,共同推高制造成本。但深層邏輯在于AI需求引發的產能重構——低壓MOSFET、電源管理IC等適配AI服務器的產品訂單暴增,迫使企業將核心產能向高毛利賽道傾斜。這種結構性調整導致光伏、儲能等傳統領域同類產品供給收縮,形成"冰火兩重天"的市場格局。

AI數據中心的電力需求呈現指數級增長。根據英飛凌技術白皮書,單顆處理器負載電流將在十年內從1000安培攀升至10000安培,服務器機架功率突破1兆瓦,推動功率半導體需求量級躍升。傳統3千瓦電源模塊正被12千瓦PSU取代,單個電源架輸出能力突破100千瓦,為兆瓦級IT機架供電提供支撐。這種技術迭代加速了行業洗牌,具備GaN(氮化鎵)研發能力的廠商獲得先發優勢。

A股市場分化特征日益明顯。采用IDM模式的士蘭微2025年歸母凈利潤預計同比增長50%-80%,其開發的16相VRM電源控制器等AI服務器專用芯片已進入量產階段。華潤微的MOSFET、SiC MOS及GaN器件全面覆蓋AI服務器電源場景,揚杰科技則通過優化產能布局搶占數據中心市場。與之形成對比的是,車規級功率器件供應商斯達半導出現"增收不增利"現象,2025年前三季度凈利潤同比下滑9.8%,反映傳統賽道供給過剩壓力。

輕資產模式的Fabless企業面臨雙重擠壓。鍇威特2025年預計虧損擴大至6800萬-9600萬元,晶圓代工成本上漲與下游價格戰形成夾擊。數據顯示,A股功率半導體企業硅基MOSFET毛利率普遍維持在20%-40%,消費電子領域甚至跌破20%警戒線。這種盈利分化凸顯產能護城河的重要性——IDM企業通過自產晶圓攤薄成本,而純設計廠商難以將上游漲價壓力向下游傳導。

行業邏輯正從"汽車電動化"轉向"AI算力化"。全球頭部廠商加速向高景氣賽道傾斜產能,英飛凌德累斯頓工廠的投產計劃較原定提前半年,彰顯搶占戰略制高點的決心。國內企業也在調整布局,士蘭微的Dr.MOS產品已通過大客戶驗證,華潤微的SiC MOS器件實現高壓場景突破。這場由AI引發的產業重構,正在重塑全球功率半導體競爭版圖。

 
 
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