2 月 28 日消息，半導體光刻圖案化的核心步驟是根據所需電路結構用光線照射涂覆在晶圓上的光刻膠，此后對于部分類型光刻膠需要進行烘烤來加速所需圖案的呈現。
比利時校際微電子研究中心 imec 本月 25 日表示，在測試平臺上，對于適用于 High NA EUV 等先進光刻的金屬氧化物光刻膠 (MOR)，高于大氣環境的氧氣含量可實現更出色的烘烤放大，這意味著相同的最終效果僅需更低的光刻照射劑量，從而能縮短光刻用時、提升生產效率。
imec 在測試中使用了 50% 的氧氣濃度含量，發現烘烤進程加速了 15~20%，這一趨勢在商用 MOR 與模型 MOR 中均有體現，展示了優化半導體光刻全流程效率的新思路。
