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三星電子今年擬投超700億美元于AI半導體研發與設施 搶抓生成式AI機遇

   時間:2026-03-21 00:08:32 來源:互聯網編輯:快訊 IP:北京 發表評論無障礙通道
 

近年來,生成式人工智能技術的迅猛發展,顯著帶動了相關硬件需求的增長。作為全球半導體產業的重要參與者,英偉達和AMD的算力芯片訂單持續攀升,而存儲芯片領域的兩大巨頭——SK海力士與三星電子,也因高帶寬存儲器(HBM)的旺盛需求迎來業績爆發。據行業分析,在人工智能應用場景不斷拓展的背景下,這兩類芯片的市場需求仍將保持強勁勢頭,促使相關企業持續加大研發投入與產能擴張。

三星電子近日宣布,將在2024年向人工智能半導體領域投入超過700億美元(約合110萬億韓元),創下該公司年度投資紀錄。這一數字較去年90.4萬億韓元的投入規模增長21.7%,標志著其戰略重心向AI基礎設施全面傾斜。根據披露的文件,資金將主要用于先進制程研發、高帶寬存儲器產能擴建以及AI芯片封裝技術的突破。

業內人士指出,三星電子此次大規模投資旨在鞏固其在HBM市場的領先地位。目前,該公司已實現第五代HBM3E產品的量產,并正在加速第六代產品的研發進程。隨著英偉達、谷歌等科技巨頭對AI訓練集群算力需求的指數級增長,高帶寬、低延遲的存儲解決方案成為制約系統性能的關鍵瓶頸,這也為三星電子提供了重要的市場機遇。

值得關注的是,三星電子的競爭策略正從單一產品競爭轉向全產業鏈布局。除存儲芯片外,該公司還在同步推進AI加速器芯片的研發,并計劃通過與云服務提供商的深度合作,構建從芯片設計到數據中心部署的完整生態鏈。這種垂直整合模式被視為應對英偉達GPU市場壟斷的重要手段。

 
 
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