在AI內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域，HBM（高帶寬內(nèi)存）無疑是當(dāng)下最受矚目的焦點(diǎn)，但傳統(tǒng)圖形GPU領(lǐng)域的“老將”GDDR（圖形雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存）同樣在AI XPU內(nèi)存市場中占據(jù)了一席之地。英偉達(dá)的RTX PRO專業(yè)顯卡以及部分AI ASIC項(xiàng)目均采用了GDDR技術(shù)，甚至此前被擱置的Rubin CPX項(xiàng)目也曾計(jì)劃配備GDDR內(nèi)存，這充分證明了GDDR在AI領(lǐng)域的實(shí)用價(jià)值。

據(jù)韓媒ETNEWS報(bào)道，內(nèi)存巨頭Micron（美光）已啟動(dòng)一項(xiàng)全新研發(fā)計(jì)劃，旨在開發(fā)一款垂直堆疊結(jié)構(gòu)的GDDR內(nèi)存產(chǎn)品。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)有望在標(biāo)準(zhǔn)GDDR與高端HBM之間開辟一條新的技術(shù)路徑，滿足市場對(duì)高性能、低成本內(nèi)存解決方案的迫切需求。據(jù)悉，該產(chǎn)品的原型最早可能于2027年亮相，屆時(shí)或?qū)⒁l(fā)內(nèi)存行業(yè)的新一輪技術(shù)競爭。

隨著AI推理需求的快速增長，各類緩存和內(nèi)存技術(shù)正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。垂直堆疊GDDR憑借其潛在的低成本和大容量優(yōu)勢(shì)，有望成為內(nèi)存原廠在技術(shù)迭代中的關(guān)鍵突破口。這一技術(shù)不僅可能延續(xù)GDDR在圖形領(lǐng)域的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，更可能為AI應(yīng)用提供更具性價(jià)比的內(nèi)存選擇，進(jìn)一步推動(dòng)AI技術(shù)的普及與發(fā)展。