據(jù)行業(yè)消息，英偉達(dá)近期對(duì)其人工智能芯片Rubin Ultra的架構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行了重大調(diào)整，放棄了原本激進(jìn)的4-Die方案，轉(zhuǎn)而采用更為成熟的2-Die架構(gòu)，預(yù)計(jì)該產(chǎn)品將于2027年正式推向市場(chǎng)。

在芯片制造領(lǐng)域，Die（通常被稱為裸片、裸晶、晶粒或芯片）是從一整片圓形硅晶圓上通過精密切割工藝分離下來的，每個(gè)小方塊都包含完整的集成電路功能。英偉達(dá)此次調(diào)整方案的主要原因，是先進(jìn)封裝技術(shù)面臨物理極限的挑戰(zhàn)。若強(qiáng)行采用4-Die架構(gòu)，芯片的封裝尺寸將大幅膨脹，其面積可能達(dá)到光罩極限的8倍左右，這將嚴(yán)重影響制造良率并推高生產(chǎn)成本。

相比之下，回歸2-Die架構(gòu)方案能夠更好地平衡制造成本與量產(chǎn)效率。業(yè)內(nèi)人士分析，這一調(diào)整不僅有助于提升芯片的制造良率，還能降低整體生產(chǎn)成本，從而增強(qiáng)產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

在制造工藝方面，Rubin Ultra將采用臺(tái)積電的N3P工藝節(jié)點(diǎn)，并結(jié)合CoWoS-L先進(jìn)封裝技術(shù)。目前，英偉達(dá)并未削減臺(tái)積電的晶圓代工訂單，而是正在微調(diào)投片策略，將更多產(chǎn)能向當(dāng)前的Blackwell架構(gòu)傾斜，以滿足市場(chǎng)需求。

此前有報(bào)道指出，臺(tái)積電3納米工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能需求極為旺盛，人工智能核心芯片對(duì)先進(jìn)制程的消耗量正在急劇攀升。數(shù)據(jù)顯示，明年人工智能芯片僅占3納米產(chǎn)能的5%，但到后年，這一比例將飆升至36%，顯示出人工智能芯片市場(chǎng)的巨大潛力。