在第三代半導體與微顯示技術的融合創新賽道上，我國科研團隊近日攻克了一項關鍵技術瓶頸，成功實現異質異構三維集成技術的重大突破。這一成果以蘇州漢驊半導體有限公司為技術載體，通過自主研發的8寸硅基氮化鎵LED外延工藝與無損去硅技術，構建起與主流CMOS工藝深度兼容的Micro-LED量產平臺，為AR/VR/MR等近眼顯示設備的規模化應用掃清了核心障礙。
作為第三代半導體的核心材料，氮化鎵（GaN）在Micro-LED微顯示技術中扮演著"發光引擎"的角色。然而，如何將氮化鎵發光單元與硅基CMOS驅動電路實現高效集成，一直是制約行業發展的技術鴻溝。傳統方案因材料體系差異導致三維異構集成困難，直接影響了近眼顯示產品的像素密度、能耗表現及量產可行性。此次技術突破通過創新性的工藝路徑，首次打通了不同材料體系間的三維集成通道，標志著我國在Micro-LED產業化領域取得里程碑式進展。
該量產平臺以"超越摩爾GaN Plus"技術體系為核心，構建了從氮化鎵外延生長、無損去硅、薄膜集成到CMOS工藝適配的全鏈條制造能力。通過自主研發的晶圓級無損去硅技術，團隊成功實現8寸硅片上氮化鎵薄膜的完整剝離與亞微米級精準轉移，進而完成發光陣列與驅動芯片的晶圓級鍵合協同制造。所有工藝參數均嚴格對標8寸CMOS產線標準，確保了與現有半導體制造基礎設施的無縫銜接。
技術突破帶來的產業價值正在逐步顯現。平臺現已具備紅、藍、綠全波段發光結構制備能力，可支撐開發像素密度超萬PPI的微顯示器件。這種高集成度方案不僅適用于近眼顯示設備，還能拓展至光通信、數字車燈、AI算力設備電源管理等新興領域。據技術團隊介紹，通過三維集成技術實現的器件體積較傳統方案縮小60%以上，能耗降低45%，為消費電子產品的形態創新提供了關鍵技術支撐。
