在集成光子學領域，一項突破性研究為光子芯片的發展開辟了全新路徑。由加州理工學院、南安普敦大學與加州大學圣塔芭芭拉分校組成的聯合團隊，成功開發出一種超低損耗摻鍺二氧化硅光子集成平臺，相關成果發表于國際頂級學術期刊《自然》上。這項研究不僅攻克了光子芯片在可見光到近紅外波段長期存在的損耗難題，更實現了與標準半導體CMOS工藝的深度兼容，為光子芯片從實驗室走向產業化應用奠定了堅實基礎。

研究團隊的核心創新在于將廣泛應用于光纖通信的摻鍺二氧化硅材料引入芯片制造。這種看似普通的玻璃材料，實則是現代光纖網絡的基石。通過標準半導體CMOS工藝，研究人員首次實現了將光纖材料"遷移"至芯片平臺，創造了被稱為"片上光纖"的新型光子集成方案。實驗數據顯示，該芯片在可見光波段（458nm）的損耗低至0.49dB/m，在1064nm波長處更達到驚人的0.08dB/m，其性能已接近1970年康寧公司首次制成低損耗光纖時的歷史水平。

這項突破性成果的取得源于對材料特性與制備工藝的雙重創新。研究團隊從光纖設計原理中汲取靈感，通過在二氧化硅中摻入二氧化鍺，既提高了材料折射率以增強光場約束能力，又意外降低了材料的熔點。這一關鍵發現使得團隊能夠利用標準退火爐在1000℃下進行晶圓級熱回流處理，通過表面張力將波導側壁打磨至原子級光滑，從根源上解決了短波長光子易被散射損耗的行業難題。在綠光波段，微環腔的品質因子達到2億量級，較傳統氮化硅平臺提升兩個數量級，標志著可見光波段光子集成技術取得根本性突破。

該平臺的技術優勢不僅體現在極致的低損耗特性，更在于其與現有半導體制造體系的完美兼容。研究團隊采用等離子增強化學氣相沉積（PECVD）、紫外光刻、電感耦合等離子體（ICP）刻蝕等標準CMOS工藝，使得半導體代工廠僅需微調現有產線即可實現規模化生產。由于光子芯片的特征尺寸大于電子芯片，對光刻精度的要求相對較低，加之熱回流"熨燙"技術對側壁粗糙度的容錯性，顯著降低了制造門檻。更值得關注的是，該平臺在退火前即可實現<1dB/m的超低損耗，為與三五族半導體激光器、薄膜鈮酸鋰等熱敏感材料的異質集成創造了可能。

基于該平臺，研究團隊已成功演示了光學頻率梳、布里淵激光和窄線寬激光器三大核心功能，證明其可作為支撐多種高性能光子器件的通用平臺。其中，可見光芯片激光器的線寬被壓縮至10Hz量級，較此前紀錄提升2-3個數量級，這一突破對原子傳感器、光學原子鐘和量子計算系統具有重大意義。在精密測量領域，超低損耗特性可顯著提升光的相干性，使芯片級光學原子鐘和陀螺儀的精度產生質的飛躍；在人工智能領域，該技術為構建大規模光神經網絡提供了可能，允許光信號在復雜芯片回路中完成數萬次運算；在量子信息領域，低損耗特性可大幅降低量子計算錯誤率，為構建大規模量子網絡奠定基礎。

盡管已在可見光到近紅外波段取得領先地位，研究團隊并未止步于此。他們正致力于開發更高質量的沉積、刻蝕和退火工藝，向0.2dB/km的光纖級超低損耗終極目標邁進。這場始于光纖通信材料的芯片革命，正在重新定義光子集成的可能性邊界。當光信號不再受限于長距離傳輸的損耗桎梏，當復雜的光子功能能夠集成于指甲蓋大小的芯片之上，人類信息處理的方式正沿著這條愈發澄澈的微型光路，邁向更加光明的未來。