近日，有網(wǎng)友在閑魚平臺(tái)發(fā)布了一組圖片，展示了高通下一代旗艦芯片——第六代驍龍8至尊Pro版（Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro，型號SM8975）的封裝設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)，引發(fā)科技圈關(guān)注。該芯片在內(nèi)存支持、散熱架構(gòu)和封裝工藝上均實(shí)現(xiàn)突破性升級，被視為高通沖擊高端移動(dòng)處理器市場的又一力作。

據(jù)網(wǎng)友透露，SM8975采用三星首創(chuàng)的HPB（散熱路徑塊）技術(shù)，通過在芯片封裝頂部集成散熱片（Heat Slug Sheet），徹底改變了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)。此前，DRAM內(nèi)存通常直接堆疊在SoC上方，導(dǎo)致核心熱量積聚難以散發(fā)，而HPB技術(shù)通過優(yōu)化散熱路徑，為芯片核心創(chuàng)造了"呼吸空間"，顯著提升熱傳導(dǎo)效率。行業(yè)分析師指出，這一改進(jìn)或使該芯片在持續(xù)高負(fù)載運(yùn)行時(shí)穩(wěn)定保持5.00GHz主頻，同時(shí)避免觸發(fā)溫度保護(hù)機(jī)制。

在內(nèi)存支持方面，SM8975展現(xiàn)出極強(qiáng)的靈活性。封裝設(shè)計(jì)圖顯示，該芯片同時(shí)支持4×24-bit通道的LPDDR6內(nèi)存和4×16-bit通道的LPDDR5X內(nèi)存，合作伙伴可根據(jù)成本需求自由選擇配置。存儲(chǔ)接口則升級至雙通道UFS 5.0標(biāo)準(zhǔn)，理論帶寬較前代提升近一倍。值得注意的是，為兼容不同規(guī)格內(nèi)存，高通特別設(shè)計(jì)了大小核架構(gòu)，在提升性能的同時(shí)確保功耗可控。

作為對比，同期曝光的SM8950芯片則顯得較為保守。該型號僅支持常規(guī)LPDDR5內(nèi)存，且高通在技術(shù)文檔中對其描述極為簡略，甚至QRD8950開發(fā)平臺(tái)僅提供單一SKU配置，采用1S供電方案。這種差異化策略暗示高通正通過技術(shù)分層滿足不同市場需求，SM8975顯然定位于頂級旗艦設(shè)備。

封裝工藝上，SM8975延續(xù)了先進(jìn)的疊層封裝（PoP）技術(shù)，將內(nèi)存顆粒與處理器垂直堆疊，在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高密度集成。行業(yè)消息稱，該芯片預(yù)計(jì)將于2025年第一季度量產(chǎn)，首批搭載設(shè)備可能包括三星Galaxy S25 Ultra和小米15 Ultra等機(jī)型。隨著移動(dòng)計(jì)算需求持續(xù)增長，散熱與功耗控制已成為芯片設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)，高通此次的技術(shù)突破或?qū)⒅匦露x高端移動(dòng)處理器的性能標(biāo)準(zhǔn)。