據行業內部消息，三星電子在1c DRAM生產領域取得重大突破，其高溫環境下的良率已攀升至80%。這一數據較2025年第四季度60-70%的良率水平實現顯著提升，公司內部預計5月前后可進一步突破至90%。該進展標志著三星在先進存儲芯片制造工藝上邁出關鍵一步。
消息人士透露，三星電子針對1c DRAM的熱測試環節進行了系統性優化，通過改進材料配方與工藝參數，成功解決了高溫環境下晶體管穩定性等核心問題。此前該產品在極端溫度條件下的良率波動曾制約產能爬坡，此次技術突破為后續大規模量產奠定基礎。
在衍生產品領域，基于1c DRAM架構的HBM4內存同樣傳來積極信號。行業數據顯示，該產品的良率已從去年第四季度的50%提升至近60%，雖然仍低于行業平均水平，但改進速度超出市場預期。HBM4作為新一代高帶寬內存，其良率提升將直接影響人工智能訓練等高性能計算場景的供貨能力。
業內分析認為，三星電子近期在存儲芯片領域的連番突破，與其持續加大的研發投入密切相關。據公開資料顯示，該公司2025年半導體業務研發預算同比增加23%，重點投向極紫外光刻（EUV）工藝優化與新型材料應用。隨著1c DRAM良率持續改善，三星有望在高端存儲市場重新奪回技術主動權。
