2月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著聯(lián)發(fā)科正式加入谷歌第八代TPU項(xiàng)目，其在人工智能生態(tài)系統(tǒng)中的角色正不斷強(qiáng)化，進(jìn)一步鞏固自身在定制化芯片解決方案領(lǐng)域的技術(shù)積累與市場(chǎng)影響力。
聯(lián)發(fā)科首席執(zhí)行官蔡力行日前在一場(chǎng)公開(kāi)活動(dòng)中，系統(tǒng)闡述了XPU開(kāi)發(fā)所面臨的四大技術(shù)挑戰(zhàn)，涵蓋計(jì)算能力、內(nèi)存瓶頸、互聯(lián)效率以及先進(jìn)封裝技術(shù)。
其中，內(nèi)存已成為影響系統(tǒng)性能和成本結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵變量，目前在XPU物料清單中的占比已高達(dá)50%，突顯出內(nèi)存對(duì)整體方案成本與效能的決定性作用。
蔡力行指出，盡管AI訓(xùn)練任務(wù)仍主要依賴HBM（高帶寬內(nèi)存），但隨著市場(chǎng)需求逐步向定制化和高效能推理演進(jìn)，AI推理正成為下一個(gè)重要增長(zhǎng)引擎。
在這一趨勢(shì)下，DDR DRAM憑借更高的密度和成本效益，預(yù)計(jì)將在推理場(chǎng)景中獲得更廣泛應(yīng)用，而SRAM則將保留于特定選擇性場(chǎng)景。這也帶動(dòng)了SK海力士和三星等內(nèi)存巨頭加速相關(guān)技術(shù)布局。
其中，SK海力士圍繞“AI-N”系列產(chǎn)品線展開(kāi)多維布局，以“AI-N P”（性能）、“AI-N B”（帶寬）、“AI-N D”（密度）為三大技術(shù)方向，分別對(duì)應(yīng)與英偉達(dá)合作的SLC NAND閃存方案、高帶寬閃存（HBF），以及面向大容量低功耗需求的數(shù)據(jù)中心解決方案，力求在AI推理負(fù)載不斷增長(zhǎng)的背景下提供差異化技術(shù)支撐。
三星方面則延續(xù)其在內(nèi)存內(nèi)計(jì)算領(lǐng)域的布局。早在2021年，三星便推出業(yè)界首款集成AI處理能力的HBM——HBM-PIM，提供最高1.2 TFLOPS的嵌入式算力，使內(nèi)存芯片本身可執(zhí)行部分CPU、GPU、ASIC或FPGA的任務(wù)。近期有消息指出，三星正重新聚焦PIM技術(shù)研發(fā)，意圖在未來(lái)的AI應(yīng)用中推動(dòng)其逐步取代傳統(tǒng)HBM架構(gòu)。（鹿角）
