在半導體光刻技術領域，一項關于金屬氧化物光刻膠（MOR）的新發現正引發行業關注。比利時校際微電子研究中心（imec）近日宣布，通過調整烘烤環境中的氧氣濃度，可顯著提升適用于High NA EUV等先進光刻工藝的MOR材料性能，為優化光刻全流程效率開辟了新路徑。
傳統光刻圖案化過程中，需通過特定波長的光線照射涂覆在晶圓表面的光刻膠，形成所需電路結構。對于部分類型光刻膠，后續烘烤步驟是加速圖案顯影的關鍵環節。imec的研究團隊在測試平臺上發現，當烘烤環境中的氧氣含量高于常規大氣條件時，MOR材料的反應效率出現明顯提升。
實驗數據顯示，在50%氧氣濃度環境下進行烘烤，MOR材料的圖案顯影速度加快了15%至20%。這一現象在商用MOR材料與實驗室模型材料中均得到驗證，表明該優化方案具有廣泛的適用性。研究團隊指出，氧氣濃度的提升降低了實現相同顯影效果所需的光刻照射劑量，直接縮短了單次光刻工序的耗時。
這項突破性發現為半導體制造工藝提供了新的效率提升維度。通過優化烘烤環境參數，廠商可在不改變現有光刻設備硬件配置的情況下，實現生產效率的實質性提升。尤其對于采用High NA EUV等先進光刻技術的7納米及以下制程節點，該技術方案有望成為降低制造成本、縮短產品上市周期的重要手段。
