近日，科技領域迎來一則重磅合作消息，IBM與半導體設備制造商泛林（Lam Research）就亞1nm尖端邏輯制程的開發達成了為期5年的合作協議。此次合作將聚焦于新材料、先進蝕刻/沉積工藝以及High NA EUV光刻的聯合開發，有望為半導體行業帶來新的突破。
在合作中，雙方將充分發揮各自優勢。IBM奧爾巴尼園區具備先進的研究能力，而泛林擁有端到端的工藝工具和創新技術。兩家企業將攜手構建并驗證納米片和納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這一系列能力的打造，旨在將High NA EUV圖案可靠地轉移到實際器件層中，實現高良率，為未來邏輯器件的可行量產路徑提供支持，同時推動持續的微縮化和性能提升。
IBM半導體總經理Mukesh Khare對這次合作充滿期待。他表示，十多年來，泛林一直是IBM的重要合作伙伴，在邏輯微縮和器件架構方面取得了諸多關鍵突破。例如，納米片技術以及IBM于2021年發布的全球首款2nm節點芯片，都離不開泛林的貢獻。如今，雙方擴大合作，共同應對下一階段的挑戰，以實現高數值孔徑極紫外光刻技術和1nm以下節點工藝，這無疑將推動半導體技術邁向新的高度。
泛林首席技術與可持續發展官Vahid Vahedi也發表了看法。他認為，隨著行業進入3D微縮的新時代，進步的關鍵在于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術整合為一個單一的高密度系統。泛林很榮幸能夠與IBM在成功合作的基礎上，進一步推動High NA EUV干式光刻膠和工藝的突破，加速開發低功耗、高性能晶體管，這對于當下蓬勃發展的AI時代至關重要。
