格隆匯3月13日｜韓國首爾經(jīng)濟(jì)日報援引不具名行業(yè)官員消息稱，三星電子正與英偉達(dá)合作，加速開發(fā)下一代NAND閃存芯片。來自三星半導(dǎo)體研究所、英偉達(dá)以及佐治亞理工學(xué)院（Georgia Tech）的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種“物理信息神經(jīng)算子”（Physics Informed Neural Operator）模型。

該模型能夠分析鐵電體（Ferroelectric）基NAND設(shè)備的性能，其分析速度比現(xiàn)有模型快10,000倍以上。相關(guān)研究成果已經(jīng)公布?；谶@些研究發(fā)現(xiàn)，三星正與英偉達(dá)就鐵電NAND的開發(fā)與商業(yè)化展開合作。