據(jù)臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》最新報(bào)道，英偉達(dá)下一代旗艦級(jí)GPU“Feynman”（費(fèi)曼）的制造方案已初步敲定，計(jì)劃于2028年正式亮相。這款被視為“Rubin”架構(gòu)繼任者的產(chǎn)品，將首次采用英特爾與臺(tái)積電雙代工模式，在先進(jìn)制程與封裝技術(shù)領(lǐng)域展開(kāi)深度合作。

在核心架構(gòu)分工上，英偉達(dá)延續(xù)了GPU Die與I/O Die分離制造的策略。其中，負(fù)責(zé)運(yùn)算核心的GPU Die將繼續(xù)由臺(tái)積電獨(dú)家代工，采用其最新制程工藝；而承擔(dān)數(shù)據(jù)交互功能的I/O Die則首次引入英特爾代工方案，部分模塊將采用Intel 18A或Intel 14A先進(jìn)制程。這種分工模式既保證了計(jì)算性能的穩(wěn)定性，又通過(guò)多元化供應(yīng)鏈降低潛在風(fēng)險(xiǎn)。

封裝技術(shù)方面，英特爾與臺(tái)積電將共同承擔(dān)后端封裝任務(wù)。英特爾代工將通過(guò)其獨(dú)有的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)負(fù)責(zé)最多四分之一的封裝工作，剩余部分則由臺(tái)積電的先進(jìn)封裝方案完成。這種混合封裝模式在業(yè)內(nèi)尚屬首次，標(biāo)志著三大半導(dǎo)體巨頭在技術(shù)協(xié)同領(lǐng)域邁出重要一步。據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，該方案可能涉及3D堆疊與異構(gòu)集成等前沿技術(shù)，旨在提升芯片整體能效比。