軟銀集團近日宣布，其全資子公司Saimemory已與英特爾達成戰略合作協議，雙方將共同推動下一代存儲技術Z-Angle Memory（ZAM）的商業化進程，以應對人工智能和高性能計算領域快速增長的存儲需求。
根據軟銀發布的官方聲明，Saimemory計劃在2027財年結束前完成ZAM技術原型的開發，并于2029財年正式實現該技術的商業化應用。此次合作旨在數據中心及大規模AI模型訓練和推理場景中，實現高容量、高帶寬的數據處理能力，同時提升處理性能并降低能耗。
合作消息公布后，市場反應積極。軟銀在Robinhood交易平臺上的股價上漲3.13%，英特爾股價則上漲5%。這一動態反映出投資者對雙方在存儲技術領域合作前景的樂觀預期。
此次合作的核心方向是聯合研發先進存儲器的核心技術。英特爾將重點提升下一代動態隨機存取存儲器（DRAM）的性能與能效，使其更適應AI算力的高強度需求。英特爾技術CTO Joshua Fryman表示，現有標準內存架構已無法滿足人工智能技術的發展需求。他透露，英特爾已開發出全新的內存架構與芯片組裝方法，能夠在提升DRAM性能的同時，有效降低功耗和生產成本，預計該技術將在未來十年實現大規模商用。
當前，AI應用對存儲內存的需求正呈現爆發式增長，市場供應已難以滿足需求，整個內存供應鏈出現明顯短缺。ZAM計劃對能源效率的重點優化，正是針對AI計算高能耗的行業痛點，回應了市場對低功耗算力基礎設施的迫切需求。據相關報道，已有日本跨國IT企業參與到該技術項目的研發中。
Saimemory成立于2024年12月，是軟銀集團旗下專注于下一代存儲技術商業化研發的全資子公司。此次與英特爾的合作，是其成立后的核心戰略布局。在技術研發過程中，Saimemory將充分依托英特爾在下一代DRAM綁定（NGDB）項目中的技術積累。NGDB項目由英特爾主導，旨在大幅提升計算機和服務器主存DRAM的性能與能效，其技術研發還得到美國能源部支持的先進存儲技術（AMT）項目的支持。
根據規劃，Saimemory的目標是在2027財年結束前完成ZAM技術原型的研發，并在2029財年實現商業化。軟銀表示，未來將繼續與英特爾合作，聯合全球技術合作伙伴及日本國內外研究機構深化研發，助力日本本土先進半導體技術的創新，提升日本在全球半導體領域的競爭力。
此次軟銀與英特爾的合作，整合了雙方在技術研發和產業資源方面的優勢，精準切中了AI時代對低功耗、高性能存儲技術的核心需求。隨著全球科技企業對存儲技術的持續投入，下一代存儲技術的產業化進程有望進一步加快，推動算力基礎設施向更高效、更低耗的方向發展。
