三星電子正加速布局下一代內(nèi)存芯片生產(chǎn)，計(jì)劃在平澤P4晶圓廠綜合體新建一條1c納米級(jí)DRAM生產(chǎn)線，專門用于生產(chǎn)HBM4內(nèi)存所需的核心芯片。這條新生產(chǎn)線預(yù)計(jì)于明年第一季度正式投產(chǎn)，初期月產(chǎn)能將達(dá)到10萬至12萬片晶圓，占三星2026年DRAM總產(chǎn)能的近五分之一。

目前三星已具備每月約6.5萬片1c納米DRAM的產(chǎn)能，隨著新生產(chǎn)線投產(chǎn)，HBM4相關(guān)芯片的產(chǎn)能占比將提升至整體DRAM產(chǎn)量的四分之一。在配套組件方面，平澤S5晶圓廠的4納米生產(chǎn)線已全面投入運(yùn)營，專門用于生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片，形成完整的供應(yīng)鏈體系。

為滿足消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存的需求，三星同步推進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)線升級(jí)計(jì)劃。位于華城的Fab 17工廠將把現(xiàn)有DRAM生產(chǎn)線升級(jí)至1c納米工藝，重點(diǎn)服務(wù)智能手機(jī)、智能家電等領(lǐng)域的通用型內(nèi)存需求。這項(xiàng)改造工程將與新建生產(chǎn)線形成協(xié)同效應(yīng)，進(jìn)一步鞏固三星在先進(jìn)內(nèi)存市場(chǎng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。