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華強北商家回應 DDR4 內存“閃崩”:市場炒作心態有所收斂

   時間:2026-02-15 16:32:32 來源:IT之家編輯:快訊 IP:北京 發表評論無障礙通道
 

2 月 15 日消息,春節假期逐漸臨近,近期國內陸續傳出內存價格“閃崩”等消息。證券時報記者今日實探華強北市場發現,內存現貨市場價格有些許回調,市場炒作心態有所收斂。

據深圳華強北現貨市場反饋,主流 DDR4 內存產品價格較 2025 年峰值回落約 10%-20%,但現價仍維持在高位。

“DDR4 從去年底到現在漲了五六倍,現在只是跌個十幾塊、幾十塊,像 DDR4 有的型號還是要 1800 元,比黃金都貴。”

相比之下,NAND(閃存)原廠甚至提出的漲幅價格翻倍,eMMC 嵌入式存儲價格漲幅顯著。多家電腦廠商證實,受存儲部件成本持續攀升影響,中低端筆記本電腦價格已上調 5%-10%,部分游戲本計劃節后提價最高 33%,游戲本最高要漲價千元。

據 CFM 統計數據,2025 年 DRAM / NAND Flash 市場規模歷史上首次突破 2000 億美元,同比增長 32.7% 至 2215.91 億美元(注:現匯率約合 1.53 萬億元人民幣)。

當前國際存儲廠商庫存處于低位,三星、SK 海力士、美光等企業正推動定價機制改革,計劃將傳統季度議價模式調整為供貨后按市價結算的動態模式。產能方面,主要原廠預計 2026 年一季度 DRAM 芯片出貨量增幅低于 5%,NAND 芯片增幅維持在 5%-10%,擴產項目普遍需至 2027 年下半年落地。

國產存儲產能建設加速推進。長鑫科技和長江存儲都在加速擴產。據 Omida 數據,長鑫科技的全球市場份額已增至 3.97%,成為中國第一、全球第四的 DRAM 廠商。Counterpoint 數據顯示,長江存儲 NAND 的全球出貨量占比在 2025 年第一季度首次突破 10%,去年第三季度已提升至 13%。

隨著國產存儲產能加速擴產,半導體設備廠商已經逐步兌現業績。中微公司介紹,由于先進邏輯器件和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升,2025 年公司預計歸母凈利潤 20.8 億元至 21.8 億元,同比增長約 28.74% 至 34.93%;測試設備廠商長川科技也預計去年實現盈利翻倍增長。

《日經亞洲》本月初還報道稱,惠普、戴爾、華碩、宏碁等國際消費電子客戶已經向國產存儲原廠投來“橄欖枝”,首次將中國大陸內存芯片納入采購考量范圍。

 
 
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