2 月 10 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（2 月 9 日）發(fā)布博文，報道稱英特爾代工業(yè)務成功爭取重量級客戶聯(lián)發(fā)科（MediaTek），有望通過其最先進的 14A 工藝量產(chǎn)天璣（Dimensity）移動芯片。
消息源透露英特爾正積極拓展客戶，此前消息稱蘋果公司已簽署保密協(xié)議，評估英特爾的 18A-P 工藝，并可能在 2027 年或 2028 年將部分非 Pro 系列 iPhone 芯片或低端 M 系列芯片交由英特爾生產(chǎn)。
廣發(fā)證券（GF Securities）的分析也指出，蘋果預計于 2028 年推出的定制 ASIC 芯片可能會采用英特爾的 EMIB 封裝技術(shù)。
技術(shù)方面，該媒體稱英特爾在落地方面存在挑戰(zhàn)。援引博文介紹，英特爾在 18A 和 14A 節(jié)點上全面押注了“背面供電技術(shù)”（Backside Power Delivery, BSPD）。
這項技術(shù)通過芯片背面更粗的金屬層供電，能有效降低電壓壓降、穩(wěn)定頻率并騰出正面布線空間，從而提升晶體管密度。然而，這種設(shè)計也帶來了一個棘手的副作用，更嚴重的“自熱效應”（Self-Heating Effect）。
對于散熱空間極度受限的智能手機而言，“自熱效應”可能是一個致命傷。相比于擁有主動散熱系統(tǒng)的服務器或 PC 芯片，移動 SoC 對熱功耗設(shè)計（TDP）極其敏感。如果英特爾無法通過創(chuàng)新手段有效緩解 14A 工藝的積熱問題，聯(lián)發(fā)科天璣芯片的能效表現(xiàn)將面臨嚴峻挑戰(zhàn)。
