全球AI算力領域領軍企業英偉達正遭遇供應鏈的嚴峻挑戰。隨著下一代AI加速器量產時間節點臨近，其核心存儲芯片供應商在產能擴張和良率提升方面均遇到瓶頸，這迫使英偉達可能調整采購策略——在確保供應穩定性的前提下，適度放寬對第四代高帶寬內存（HBM4）的技術規格要求。
據行業媒體ZDNet披露，盡管三星電子近期宣布HBM4即將進入量產階段，在進度上領先于SK海力士和美光兩大競爭對手，但全球存儲芯片市場的供應格局仍取決于英偉達的最終采購決策。當前市場數據顯示，即便行業頭部企業也難以在滿足英偉達設定的11.7Gbps最高規格的同時，實現大規模穩定供貨。
這種潛在的策略轉向折射出半導體供應鏈的緊張態勢。若英偉達堅持最高性能標準，其代號為Rubin的下一代AI芯片量產計劃可能因關鍵零部件短缺而受阻。市場分析普遍認為，英偉達將采取更務實的雙軌策略：在采購頂級規格HBM4的同時，同步采購性能稍低但供應更穩定的版本，以此平衡性能需求與供應鏈安全。
這一調整對資本市場和產業格局具有深遠影響。不僅關乎英偉達新品的上市周期，更將重塑存儲芯片市場的競爭版圖。鑒于今年存儲芯片短缺狀況較去年更為嚴峻，供應商能否在放寬后的規格下實現穩定交付，已成為三星、SK海力士等企業爭奪市場份額的關鍵因素。
三星電子雖在認證環節占據先機，但量產能力仍存隱憂。盡管其率先通過英偉達的HBM4資格測試，但市場關注點已轉向實際供應能力。數據顯示，若嚴格執行11.7Gbps規格標準，三星現有產能難以滿足Rubin芯片的大規模量產需求。制約因素主要來自兩方面：截至本月，其1c DRAM良率約60%，考慮先進封裝工藝后有效良率進一步下降；去年底1c DRAM月產能僅6萬至7萬片晶圓，遠低于英偉達的需求規模。雖然三星正在推進新投資和產線轉換，但產能提升需要時間，短期內難以顯著改善供應狀況。
SK海力士則面臨性能達標的挑戰。作為英偉達HBM供應體系的重要參與者，該公司雖已獲得約60%的HBM4分配份額，但在早期可靠性評估中，其產品在11Gbps性能級別上表現欠佳。目前SK海力士正通過硬件改進解決技術短板，但最終方案尚未確定。這種技術瓶頸增加了英偉達過度依賴單一規格產品的風險，迫使其重新評估對供應商的技術要求。
在供應端困境下，英偉達的雙軌采購策略已成大概率事件。據行業消息人士透露，英偉達除采購11.7Gbps頂級HBM4外，還將同步采購10.6Gbps等性能稍低的版本。這種策略調整旨在緩解供應商的技術壓力，使三星、SK海力士和美光三家主要廠商更易實現規模化供貨。在存儲芯片短缺持續加劇的背景下，適度放寬性能標準被視為保障下一代AI基礎設施按時交付的必要措施。
