全球領先的半導體設備制造商阿斯麥近日宣布，其極紫外光刻（EUV）技術取得重大突破。通過優化光源功率系統，該公司成功將極紫外光源的輸出功率提升至1000瓦特級別，這項技術改進預計可使芯片制造商的晶圓生產效率顯著提高。
作為全球唯一具備商用極紫外光刻設備生產能力的企業，阿斯麥的這項技術升級具有行業里程碑意義。根據技術團隊測算，到2030年相關設備的每小時晶圓處理量將較當前水平提升50%，這將直接推動臺積電、英特爾等頭部企業的先進制程芯片產能擴張。
極紫外光刻機是制造7納米及以下制程芯片的核心設備，其光源功率直接影響光刻分辨率和生產效率。此次功率提升意味著在相同時間內可以完成更多曝光工序，同時保持極高的工藝精度。行業分析師指出，這項突破將緩解當前全球先進芯片產能緊張的局面，并為3納米以下制程的量產鋪平道路。
據技術白皮書披露，阿斯麥通過改進等離子體約束裝置和光路優化系統，在保持光源穩定性的前提下實現了功率躍升。這項改進不需要對現有設備架構進行重大改造，現有客戶可通過模塊升級方式獲得產能提升。英特爾設備工程部門負責人表示，功率提升將使EUV光刻機的綜合利用率提高至90%以上，顯著降低單位芯片制造成本。
當前全球半導體產業正經歷新一輪技術競賽，極紫外光刻機的產能瓶頸已成為制約先進制程發展的關鍵因素。阿斯麥的這次技術突破不僅鞏固了其市場壟斷地位，更為全球芯片制造商提供了重要的產能保障。隨著2030年技術目標的逐步實現，極紫外光刻技術有望推動半導體產業進入新的發展階段。
