在NVIDIA GTC 2026大會上，三星電子正式推出面向人工智能計算領域的新一代高帶寬內存HBM4E，并同步展示了覆蓋芯片、存儲及系統層面的多款AI基礎設施解決方案。此次發布標志著三星與英偉達在AI硬件生態領域的合作進一步深化，技術布局從存儲擴展至芯片制造與終端應用全鏈條。
作為HBM4的升級產品，HBM4E首次公開亮相即瞄準下一代AI數據中心需求。該內存采用單引腳16Gbps的傳輸速率，總帶寬達4TB/s，較前代提升顯著，可滿足大模型訓練與實時推理場景對內存性能的嚴苛要求。與此同時，三星第六代HBM4已進入量產階段，基于10納米級DRAM工藝，基礎速率11.7Gbps，支持動態提升至13Gbps，主要應用于英偉達下一代Vera Rubin計算平臺。
芯片制造領域的合作成為此次大會焦點。英偉達CEO黃仁勛透露，三星晶圓代工業務正為其生產用于AI推理的Groq 3語言處理單元（LPU）芯片，預計今年下半年啟動出貨。這一動態表明，雙方合作已從存儲器件延伸至先進制程芯片制造，形成從算力核心到數據樞紐的完整技術閉環。
在存儲系統層面，三星推出多款針對AI場景優化的組件。SOCAMM2服務器模塊采用低功耗DRAM架構，通過高帶寬設計與靈活集成方案，已進入規模化量產階段；PM1763固態硬盤則聚焦AI存儲需求，支持更高數據傳輸速率與存儲容量擴展，為大規模數據集處理提供硬件支撐。
終端設備側的布局同樣引人注目。三星展出PM9E3、PM9E1兩款NAND閃存產品，以及LPDDR5X與LPDDR6移動內存解決方案。其中，LPDDR5X單引腳速率達25Gbps，LPDDR6更將目標設定在35Gbps，同時通過架構優化顯著降低能耗，為邊緣AI設備提供高性能與長續航的平衡選擇。
除硬件產品外，三星與英偉達還在工業數字化領域展開協作。雙方通過整合加速計算技術與Omniverse平臺，推動半導體制造環節的數字孿生應用，實現生產流程的實時模擬與自動化優化，為AI驅動的智能制造樹立新標桿。
