2月9日消息，據外媒報道，在人工智能領域所需的高帶寬存儲器（HBM）方面，SK海力士占得了先機，向英偉達大量供貨的他們，業績大幅提升，員工也因此獲得了高額的績效獎勵，他們在去年也連續多個季度超過三星電子，成為DRAM銷售額最高的廠商。

不過就外媒的報道來看，在高帶寬存儲器方面占得了先機的SK海力士，也面臨來自最大存儲芯片制造商三星電子的壓力，去年年底就曾有消息稱三星電子已經超過了SK海力士，成為了全球HBM產量最高的廠商。

而從外媒最新的報道來看，在產量領先之后，三星電子在產品方面也有望領先，他們已在準備率先量產第六代的高帶寬存儲器，也就是HBM4。

外媒援引業內人士透露的消息報道稱，三星電子將在本月開始量產第六代的高帶寬存儲器，他們計劃最快下周開始出貨，用于英偉達的產品。

外媒在報道中還提到，三星電子的第六代高帶寬存儲器，已經通過了英偉達的質量認證流程，并獲得了采購訂單，生產計劃也已經確定，以配合英偉達Vera Rubin的發布計劃。

在當前的全球高帶寬存儲器市場，占據主導地位的是第五代（HBM3E），但業內認為第六代將成為關鍵技術，英偉達是計劃在Vera Rubin中開始采用。（海藍）