全球存儲芯片領域迎來重大突破，三星電子成功實現HBM4高帶寬存儲芯片的大規模量產，并計劃在本月下旬向英偉達（NVIDIA）正式批量交付。這一進展標志著HBM4芯片首次進入全球市場，為下一代人工智能計算平臺的發展注入關鍵動力。
據行業消息，三星電子已全面完成英偉達對HBM4芯片的認證流程，交付時間與英偉達新一代人工智能加速器的發布計劃高度契合。其中，備受關注的Vera Rubin平臺將率先搭載這款芯片。英偉達首席執行官黃仁勛此前在CES 2026展會上宣布，Vera Rubin平臺已進入量產階段，預計2026年下半年正式推向市場，而三星HBM4的及時供應為其商業化落地提供了重要保障。
三星此次量產的HBM4芯片在性能上實現顯著躍升。工藝層面，DRAM單元采用第六代10nm級（1c工藝）技術，基板芯片則運用4nm代工廠工藝，這種組合使芯片性能達到行業領先水平。數據顯示，其數據處理速度達11.7Gbps，較行業標準機構JEDEC設定的8Gbps提升約37%，相比上一代HBM3E的9.6Gbps提高22%；單堆棧存儲帶寬達3TB/s，是前代產品的2.4倍。容量方面，12層堆疊技術可提供36GB存儲，未來升級至16層堆疊后，容量將擴展至48GB。
英偉達計劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會上，首次公開展示搭載三星HBM4芯片的Vera Rubin平臺。這一動作被視為人工智能硬件領域的重要里程碑，業內普遍認為，HBM4的加入將顯著提升平臺的計算效率，滿足大規模AI模型訓練和實時推理的需求。
作為專為AI加速器和高性能計算設備設計的高端存儲芯片，HBM（高帶寬存儲）的核心價值在于解決算力提升帶來的內存帶寬瓶頸問題。隨著AI大模型訓練、自動駕駛等領域的快速發展，全球對HBM芯片的需求持續激增。三星HBM4的量產不僅推動了存儲技術的迭代升級，更為下一代AI計算平臺的性能突破提供了硬件支撐，有望重塑全球人工智能硬件市場的競爭格局。
