群聯電子首席執行官潘健成近日發出警告，DRAM內存與NAND閃存的市場短缺狀況遠超業界預期，且這一結構性供需失衡問題或將延續至2030年后。他指出，當前晶圓代工廠在供應鏈中占據絕對主導地位，甚至要求客戶預付未來三年產能款項，這種前所未有的交易模式凸顯了供應端的強勢地位。
據行業內部估算，存儲芯片短缺局面至少將持續至2030年，部分分析甚至認為危機可能延續十年之久。潘健成特別提到，英偉達即將推出的Vera Rubin AI基礎設施及其ICMS平臺對存儲性能提出嚴苛要求，僅這一產品線就可能消耗全球超過20%的NAND產能。目前業界尚未充分評估企業級需求激增對消費市場的沖擊，一旦相關需求集中釋放，消費級產品供應空間將進一步被壓縮。
存儲芯片短缺對產業鏈的影響已開始顯現。潘健成預測，2025年末至2026年間，將有大量企業因無法保障內存供應而被迫停產或調整產品線。到2026年下半年，低利潤品牌將面臨大規模淘汰，低端存儲產品可能從市場徹底消失，形成明顯的供應真空期。這種結構性調整將持續至供應鏈恢復平衡，屆時市場增長才可能重新加速。
AI技術發展對存儲行業的顛覆性影響成為關注焦點。潘健成強調，人工智能對DRAM的巨大需求正在重塑產業格局，多個消費細分領域可能遭受嚴重沖擊甚至消失。隨著企業級存儲需求持續攀升，行業正步入充滿變數的深度調整階段，供應鏈各環節均需重新評估風險應對策略。
