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三星或采用2nm工藝開發(fā)HBM5

時間：2026-03-18 09:54:24 來源：格隆匯編輯：快訊 IP：北京 發(fā)表評論無障礙通道

格隆匯3月18日｜據(jù)科創(chuàng)板日報，三星電子已確認正在開發(fā)第八代高帶寬內存(HBM5)，其底層芯片采用2納米工藝。對于第九代HBM5E，該公司計劃提前在核心芯片上應用基于1D(第七代10納米級)工藝的DRAM。

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