格隆匯3月24日｜三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得突破，其先進(jìn)的2納米工藝良率近期已突破60%。這一進(jìn)展將使該公司能夠以更低成本生產(chǎn)更多高性能芯片，同時(shí)吸引新客戶。據(jù)報(bào)道，三星2納米工藝的良率在短短兩個(gè)季度內(nèi)增長(zhǎng)了兩倍多。去年下半年，該工藝良率僅約 20%，導(dǎo)致晶圓上的大部分芯片無(wú)法使用。如今良率突破60%，三星已與臺(tái)積電的良率水平基本持平。據(jù)悉，行業(yè)龍頭臺(tái)積電的2納米工藝良率在60%至70%之間。
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