近日，一場聚焦智能電動汽車發展的高層論壇在北京舉行，吸引了眾多行業專家與企業代表參與。麥格納集團中國區技術高級總監張超在論壇上發表了精彩演講，對全球及中國汽車市場的未來趨勢進行了深入剖析。
張超指出，全球汽車銷量正呈現出穩定增長的態勢，預計到2030年，全球汽車銷量將突破1億輛大關。在這一增長過程中，新能源汽車的表現尤為亮眼，其占比預計將迅速提升至40%以上。而在中國市場，新能源汽車更是成為推動汽車銷量增長的主要力量。據預測，到2030年，中國汽車銷量有望突破3000萬輛，其中新能源汽車的占比將接近80%，展現出巨大的市場潛力。
在演講中，張超還對傳統硅基IGBT的局限性進行了詳細闡述。他提到，傳統硅基IGBT存在四大明顯不足：一是開關損耗較大，導致在高頻工況下的效率偏低；二是耐高溫能力有限，難以適應高溫環境下的工作需求；三是開關頻率較低，使得系統體積與重量難以進一步降低；四是難以支撐800V以上平臺的長期發展，限制了電動汽車在高壓快充等領域的應用。
針對這些問題，張超認為，全面向第三代半導體升級是必然的技術路線。他介紹說，SiC/GaN器件憑借其優異的物理特性，如高擊穿電場、高電子遷移率等，能夠徹底解決傳統硅基IGBT存在的上述痛點，為電動汽車產業帶來革新性的變化。
對于未來3-5年的關鍵趨勢，張超也給出了自己的判斷。他認為，800V高壓平臺將加速下沉至主流車型，為電動汽車提供更快的充電速度和更高的功率輸出；SiC器件將在全場景中的滲透率持續穩步提升，成為電動汽車核心部件的重要組成部分；同時，GaN在車載電源領域也將實現快速規模化上車，為電動汽車的電源系統帶來更高的效率和更小的體積。
