在人工智能技術快速發展的背景下，全球存儲產業正經歷新一輪技術變革。據行業分析機構披露，主要存儲廠商對NAND閃存產能擴張持審慎態度，同時加速淘汰MLC等傳統產品架構。SK海力士于近期公布的5-Bit NAND技術引發業界關注，該技術通過架構創新使讀取速度達到傳統PLC閃存的20倍。
這項突破性技術采用Multi-Site Cell（MSC）架構設計，將每個3D NAND存儲單元垂直分割為兩個獨立存儲區域。這種創新方案在提升數據密度的同時，將單元工作電壓降低至原有方案的三分之一。通過電壓優化設計，單個存儲單元的存儲容量實現質的飛躍，為高密度存儲設備開發開辟新路徑。
技術團隊在研發過程中攻克了關鍵技術瓶頸。通過集成4D 2.0技術體系，成功突破傳統存儲單元超過4bit后必然面臨的電壓狀態限制。這項創新使得5bit存儲單元在保持高速讀寫性能的同時，維持了與現有產品相當的耐久性指標，解決了高密度存儲領域長期存在的技術矛盾。
針對QLC架構存在的可靠性短板，研發團隊采用雙獨立存儲區（Dual-Site）設計。每個存儲區采用更低工作電壓，既延長了器件使用壽命，又提升了整體存儲密度。這種創新架構使單個存儲單元的存儲效率提升近一倍，有效彌補了傳統QLC技術的性能缺陷。
實際應用測試顯示，該技術可帶來顯著的存儲容量提升。采用新架構的NAND存儲芯片單Die容量增加25%，由此制成的固態硬盤產品整體存儲空間同步增長四分之一。這項突破為數據中心、邊緣計算等大容量存儲場景提供了新的技術解決方案，有望推動存儲設備向更高密度、更低能耗方向發展。
