存儲器市場近期迎來顯著回暖，力積電順勢宣布正式啟動DRAM制程工藝提升計劃。此前，該公司已與美光科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，此次升級旨在滿足下游存儲器IC設計客戶對高容量、高速度DRAM產(chǎn)品的迫切需求，同時抓住市場供需缺口帶來的發(fā)展機遇。
力積電新竹12英寸晶圓廠目前具備月產(chǎn)5萬片存儲器芯片的產(chǎn)能規(guī)模，主要采用2x納米制程技術，為全球客戶提供DRAM和Flash代工服務。隨著全球AI算力需求的爆發(fā)式增長，DRAM市場持續(xù)呈現(xiàn)供不應求的態(tài)勢，客戶訂單量迅猛增加，這成為推動力積電加速存儲器產(chǎn)線技術升級的重要動力。
為提升DRAM制程工藝，力積電董事會已通過增資案，計劃投資新設備以增強產(chǎn)能。配合此前銅鑼廠售予美光的策略合作，雙方預計在第二季度簽訂相關合約。待2026年度股東常會批準后，力積電將根據(jù)經(jīng)營團隊的規(guī)劃，迅速啟動設備采購作業(yè)，對P3廠現(xiàn)有月產(chǎn)逾3萬片的DRAM生產(chǎn)線進行升級改造。
