臺積電（TSMC）近日宣布，已向其參股的特色工藝晶圓代工企業(yè)世界先進(jìn)（VIS）正式授權(quán)兩種氮化鎵（GaN）制程技術(shù)，涵蓋650V高壓與80V低壓領(lǐng)域。此次技術(shù)合作標(biāo)志著雙方在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的深度協(xié)同，旨在推動氮化鎵技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用場景中落地。

世界先進(jìn)憑借此次授權(quán)，將其現(xiàn)有的硅襯底氮化鎵（GaN-on-Si）工藝制程擴(kuò)展至高壓領(lǐng)域，構(gòu)建起覆蓋高低壓的完整技術(shù)平臺。值得注意的是，該公司此前已擁有基于QST襯底的氮化鎵制程能力，此次技術(shù)升級使其成為全球首家同時掌握兩種不同襯底氮化鎵工藝的晶圓制造服務(wù)商，進(jìn)一步鞏固了其在特色工藝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

根據(jù)規(guī)劃，世界先進(jìn)將基于成熟的八英寸晶圓生產(chǎn)線開展技術(shù)驗證，確保新制程的穩(wěn)定性與良率達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。相關(guān)開發(fā)工作預(yù)計于2026年初啟動，經(jīng)過兩年的技術(shù)優(yōu)化與產(chǎn)能爬坡，計劃于2028年上半年實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。這一時間表反映了第三代半導(dǎo)體技術(shù)從實驗室到產(chǎn)業(yè)化所需的嚴(yán)謹(jǐn)流程，也體現(xiàn)了雙方對技術(shù)成熟度的審慎評估。

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其高效率、高頻率等特性，在快充、5G基站、新能源汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。此次技術(shù)授權(quán)不僅為世界先進(jìn)開辟了新的業(yè)務(wù)增長點，也為臺積電通過戰(zhàn)略參股深化技術(shù)生態(tài)布局提供了典型案例。隨著全球?qū)?jié)能減排需求的持續(xù)增長，氮化鎵技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程有望進(jìn)一步加速。