AIPress.com.cn報道
2月13日，三星電子公布了其最新HBM4高帶寬內存芯片的性能數據，并透露了下一代產品的交付時間表，顯示這家全球最大的存儲芯片制造商正在加速追趕HBM市場的領先者SK海力士。
三星芯片部門首席技術官宋宰旭在周三表示，HBM4芯片的客戶反饋"非常令人滿意"。
根據三星公布的數據，HBM4芯片的穩定處理速度達到11.7Gbps，較上一代HBM3E提升了22%。峰值速度則可達到13Gbps，有助于緩解AI訓練和推理過程中日益嚴重的數據傳輸瓶頸。
三星還透露，計劃在今年下半年交付下一代HBM4E芯片的樣品，顯示公司正在同步推進更先進產品的研發。
消息公布后，三星股價周四收漲6.4%，SK海力士同日收漲3.3%。
三星在HBM市場的起步明顯慢于競爭對手。在上一代HBM3E芯片的供應上，三星的響應速度落后于SK海力士，導致其在這個高速增長的細分市場中丟失了先機。SK海力士憑借先發優勢，在HBM領域建立了主導地位。
但三星正在加速縮小差距。HBM4芯片的性能數據和積極的客戶反饋表明，三星在新一代產品上的競爭力有所恢復。
SK海力士方面也沒有放松。公司在1月份表示，面對三星日益加強的競爭，其目標是在HBM4芯片上維持"壓倒性"的市場份額，并計劃將HBM4的生產良率提升至與當前HBM3E芯片相當的水平。
美光也已加入戰局。據媒體報道，美光CFO表示公司的HBM4芯片已進入大批量生產階段，并且已經開始向客戶發貨。
三家存儲芯片巨頭同時在HBM4上發力，背后的驅動力是全球AI數據中心建設帶來的巨大芯片需求。HBM芯片的核心作用是為GPU等AI加速器提供高速數據傳輸通道，支撐AI模型的訓練和推理。隨著AI模型規模持續膨脹、數據中心資本開支不斷攀升，HBM芯片的市場需求正處于爆發式增長階段。
