全球存儲器市場正經(jīng)歷一場前所未有的供需劇變。SK海力士在高盛近期舉辦的電話會議中直言，存儲芯片產(chǎn)業(yè)已全面進(jìn)入賣方主導(dǎo)階段，價格上行趨勢將持續(xù)至2026年全年。該公司高層透露，當(dāng)前DRAM及NAND主流產(chǎn)品的庫存周期已壓縮至4周，創(chuàng)下歷史新低，所有客戶均面臨供應(yīng)短缺的困境。

供需失衡的矛盾在高端產(chǎn)品領(lǐng)域尤為突出。據(jù)披露，2026年高帶寬存儲器（HBM）的產(chǎn)能已被提前預(yù)訂一空，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的短缺更推升了供應(yīng)商的議價能力。為鎖定長期供應(yīng)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游已啟動多輪合約談判，部分企業(yè)甚至要求客戶預(yù)付三年現(xiàn)金作為產(chǎn)能保證金。這種緊張態(tài)勢直接反映在SK海力士的財務(wù)數(shù)據(jù)中——其2025財年營收達(dá)97.1467萬億韓元，營業(yè)利潤同比翻倍至47.2063萬億韓元，刷新歷史紀(jì)錄。

驅(qū)動這場變革的核心因素來自供需兩端。需求側(cè)，AI大模型訓(xùn)練與高效能計算對存儲容量的需求呈指數(shù)級增長，遠(yuǎn)超行業(yè)此前預(yù)測；供給側(cè)，存儲芯片制造依賴的無塵室建設(shè)進(jìn)度遲緩，產(chǎn)能擴(kuò)張速度難以匹配需求爆發(fā)。這種結(jié)構(gòu)性矛盾導(dǎo)致供需缺口持續(xù)擴(kuò)大，短期內(nèi)難以緩解。

價格飆升已引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈連鎖反應(yīng)。群聯(lián)電子CEO潘健成指出，內(nèi)存產(chǎn)能向AI基礎(chǔ)設(shè)施傾斜，正擠壓消費電子領(lǐng)域的供應(yīng)空間。某代工廠要求客戶預(yù)付三年現(xiàn)金鎖定產(chǎn)能的舉措，令中小設(shè)備制造商面臨巨大資金壓力。集邦咨詢分析顯示，若漲價趨勢持續(xù)，2026年全球智能手機(jī)產(chǎn)量可能同比下降10%至11.35億臺，極端情況下衰退幅度或超15%，跌至10.61億臺。

終端市場成本壓力顯著加劇。以主流8GB內(nèi)存+256GB存儲配置為例，其合約價較2025年同期暴漲近200%，在智能手機(jī)成本中的占比從10%-15%躍升至30%-40%。這種成本轉(zhuǎn)嫁正在重塑行業(yè)競爭格局，部分廠商已開始調(diào)整產(chǎn)品策略以應(yīng)對沖擊。