1 月 27 日消息，Micron 美光今日宣布啟動(dòng)位于新加坡的 NAND 閃存新晶圓廠建設(shè)工程。這座設(shè)施是新加坡首個(gè)雙層晶圓廠，未來十年總投資約 240 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 1671.65 億元人民幣），預(yù)計(jì) 2028 年下半年投產(chǎn)。

▲ 美光新加坡現(xiàn)有 NAND 閃存制造設(shè)施

新加坡本就是美光的主要 NAND 生產(chǎn)基地之一，此次新建的晶圓廠潔凈室空間達(dá)到 70 萬平方英尺（約 65032 平方米），將與早前動(dòng)工的 HBM 先進(jìn)封裝工廠一道滿足 AI 產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶來的存儲(chǔ)需求。