全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的競爭格局正迎來新一輪洗牌。荷蘭光刻設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)阿斯麥控股（ASML）宣布進(jìn)軍半導(dǎo)體制造后工序領(lǐng)域，向長期由日本佳能主導(dǎo)的市場發(fā)起沖擊。與此同時，尼康也披露將在2026年度啟動相關(guān)設(shè)備的量產(chǎn)計劃，三大光刻巨頭在后工序環(huán)節(jié)的角逐日趨激烈。

半導(dǎo)體后工序光刻技術(shù)是芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，主要承擔(dān)芯片間連接層的精密布線任務(wù)。這項技術(shù)通過光刻工藝在芯片表面繪制微米級電路，直接影響芯片間的信號傳輸效率與穩(wěn)定性，進(jìn)而決定半導(dǎo)體產(chǎn)品的整體性能表現(xiàn)。隨著先進(jìn)制程技術(shù)逼近物理極限，后工序的重要性愈發(fā)凸顯，已成為提升芯片性能的新突破口。

佳能此前在該領(lǐng)域占據(jù)絕對優(yōu)勢，其設(shè)備覆蓋了全球大部分后工序光刻市場。ASML此次推出的新型設(shè)備專門針對芯片連接層布線設(shè)計，能夠滿足最尖端半導(dǎo)體對連接密度的嚴(yán)苛要求。據(jù)行業(yè)分析師指出，隨著5nm以下制程芯片的量產(chǎn)，后工序的復(fù)雜度呈指數(shù)級增長，這為ASML的技術(shù)突破提供了市場空間。

人工智能算力需求的爆發(fā)式增長成為這場競爭的催化劑。當(dāng)前主流的"先進(jìn)封裝"技術(shù)通過將GPU、存儲器等不同功能芯片垂直堆疊，實(shí)現(xiàn)算力的指數(shù)級提升。這種技術(shù)路線對后工序光刻設(shè)備提出了更高要求——需要在三維空間內(nèi)完成納米級精度的電路繪制。ASML自2025年三季度起開始交付的專用設(shè)備，正是為適配這種技術(shù)趨勢而開發(fā)。

行業(yè)觀察家認(rèn)為，ASML的入局將打破佳能在該領(lǐng)域的長期壟斷。其極紫外光刻（EUV）技術(shù)積累可能催生革命性的后工序解決方案，而尼康的量產(chǎn)計劃則預(yù)示著日本企業(yè)不愿輕易放棄這塊戰(zhàn)略要地。這場技術(shù)競賽不僅會重塑市場格局，更可能推動半導(dǎo)體制造向更高集成度、更低功耗的方向演進(jìn)。